TrendForce最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM方面，現(xiàn)貨市場(chǎng)成交持續(xù)增加，合約市場(chǎng)對(duì)SK海力士DDR5產(chǎn)品需求旺盛，DDR5貨源緊俏，價(jià)格上漲。NAND Flash方面，本周Wafer現(xiàn)貨市場(chǎng)延續(xù)漲價(jià)態(tài)勢(shì)，后續(xù)Wafer價(jià)格有望持續(xù)上漲，512GbTLC晶圓現(xiàn)貨價(jià)格本周上漲2.33%，報(bào)2.5美元。
AI大模型訓(xùn)練對(duì)內(nèi)存帶寬需求呈指數(shù)級(jí)增長，傳統(tǒng)DDR內(nèi)存已無法滿足需求。HBM(高帶寬內(nèi)存)通過3D堆疊技術(shù)將DRAM芯片垂直堆疊，最新的HBM3E可實(shí)現(xiàn)高達(dá)819GB/s的帶寬，較DDR5提升5倍以上。在AI服務(wù)器中，HBM的成本占比約為20%-30%，僅次于用于計(jì)算的AI芯片。
研究機(jī)構(gòu)表示，存儲(chǔ)芯片行業(yè)正處于技術(shù)創(chuàng)新與需求復(fù)蘇的雙重驅(qū)動(dòng)期，2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)預(yù)計(jì)仍會(huì)維持雙位數(shù)增長，預(yù)期將會(huì)突破2300億美元。伴隨著巨頭廠商減產(chǎn)、AI轉(zhuǎn)向推理市場(chǎng)刺激下游需求、技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新三重因素下，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)會(huì)出現(xiàn)持續(xù)性復(fù)蘇。
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